GaN Epitaxial Wafer

(68)

- visits

O Fe lubrificou GaN Substrates Resistivity > 10 o ⁶ Ω·Dispositivos RF do Cm

Preço: Negotiable

MOQ: Negotiable

Prazo de entrega: 3-4 week days

Marca: GaNova

{"cid":"161899","pid":"31468958","pimg_url":"\/\/img1.b2bforus.com\/7f\/6a\/b15b19c5fc1b\/product\/118954379_s-w400xh400.jpg","name":"O Fe lubrificou GaN Substrates Resistivity > 10 o \u2076 \u03a9\u00b7Dispositivos RF do Cm","attrs":{"Pre\u00e7o":"Negotiable","MOQ":"Negotiable","Prazo de entrega":"3-4 week days","Marca":"GaNova"}}

Realçar:ISO GaN Substrates, gan semiconductor wafer, Fe Doped GaN Substrates

2inch C-face Fe-doped SI-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity > 106 Ω·cm RF devices The achieved breakdown voltage of the Fe-doped GaN epitaxial layer can be as high as 2457 V, which is attributed to the Fe-doped GaN epitaxial layer with higher resistance, which can sustain... Veja mais

Contate agora

Chat on WhatsApp

Bolacha sic Epitaxial

(42)

- visits

4 polegadas 4H-SiC Substrato nível P SI 500.0±25.0μm MPD≤5/cm2 Resistividade≥1E5Ω·cm Para Microondas de Potência

Preço: Negotiable

MOQ: Negotiable

Prazo de entrega: 3-4 week days

Marca: GaNova

{"cid":"161899","pid":"30142545","pimg_url":"\/\/img1.b2bforus.com\/7f\/6a\/b15b19c5fc1b\/product\/133766410_s-w400xh400.jpg","name":"4 polegadas 4H-SiC Substrato n\u00edvel P SI 500.0\u00b125.0\u03bcm MPD\u22645\/cm2 Resistividade\u22651E5\u03a9\u00b7cm Para Microondas de Pot\u00eancia","attrs":{"Pre\u00e7o":"Negotiable","MOQ":"Negotiable","Prazo de entrega":"3-4 week days","Marca":"GaNova"}}

Realçar:Substrato de 4H-SiC de nível P, Substrato de 4H-SiC para microondas, Substrato 4H-SiC de 4 polegadas

SI 500.0±25.0μm MPD≤5/cm2 Resistivity≥1E5Ω do nível P da carcaça de JDCD03-002-002 4inch 4H-SiC·cm para dispositivos do poder e da micro-ondas Vista geral É usado sic para a fabricação de dispositivos muito de alta tensão e de alta potência tais como diodos, transistor de poder, e disposi... Veja mais

Contate agora

Chat on WhatsApp

GaAs Epi Wafer

(15)

- visits

JDCD10-001-003 2 polegadas GaAs ((100) Substratos dopados por Zn

Preço: Negotiable

MOQ: Negotiable

Prazo de entrega: 3-4 week days

Marca: GaNova

{"cid":"161899","pid":"29834705","pimg_url":"\/\/img1.b2bforus.com\/7f\/6a\/b15b19c5fc1b\/product\/133766290_s-w400xh400.jpg","name":"JDCD10-001-003 2 polegadas GaAs ((100) Substratos dopados por Zn","attrs":{"Pre\u00e7o":"Negotiable","MOQ":"Negotiable","Prazo de entrega":"3-4 week days","Marca":"GaNova"}}

Realçar:Substratos dopados com Zn de 2 polegadas, Substratos dopados com Zn

Substratos dopados com Zn de 2 polegadas GaAs(100)   Visão geralO arseneto de gálio de um Wafer de GaAs tem o atributo de gerar luz laser a partir da eletricidade de maneira direta.Existem dois tipos de GaAs Wafer;policristalino e monocristal.Esses wafers são utilizados na produção de microeletrôn... Veja mais

Contate agora

Chat on WhatsApp

Substratos de Diamante CVD

(15)

- visits

Categoria eletrônica único Crystal Diamond de JDCD05-001-003 10*10mm2*0.3mm, N Content<100ppb, condutibilidade térmica de XRD<0.015º

Preço: Negotiable

MOQ: Negotiable

Prazo de entrega: 3-4 week days

Marca: GaNova

{"cid":"161899","pid":"30138423","pimg_url":"\/\/img1.b2bforus.com\/7f\/6a\/b15b19c5fc1b\/product\/133765240_s-w400xh400.jpg","name":"Categoria eletr\u00f4nica \u00fanico Crystal Diamond de JDCD05-001-003 10*10mm2*0.3mm, N Content<100ppb, condutibilidade t\u00e9rmica de XRD<0.015\u00ba","attrs":{"Pre\u00e7o":"Negotiable","MOQ":"Negotiable","Prazo de entrega":"3-4 week days","Marca":"GaNova"}}

Realçar:Electronic Grade Single Crystal Diamond, 10*10mm2*0.3mm Single Crystal Diamond

diamante de cristal da categoria eletrônica de 10*10mm2*0.3mm único, índice de N<100ppb> Vista geralas bolachas do diamante do Único-cristal permitem avanços críticos nos ambos tecnologia do poder do RF usada para as comunicações 5G e satélites; assim como na eletrônica de poder usada nos... Veja mais

Contate agora

Chat on WhatsApp

Sistema de recozimento térmico rápido

(2)

- visits

Sistema de recozimento RTP-SA-8 de processamento térmico rápido de produção

Preço: Negotiable

MOQ: Negotiable

Prazo de entrega: 3 month

Marca: Ganova

{"cid":"161899","pid":"45275426","pimg_url":"\/\/img1.b2bforus.com\/7f\/6a\/b15b19c5fc1b\/product\/173407349_s-w400xh400.jpg","name":"Sistema de recozimento RTP-SA-8 de processamento t\u00e9rmico r\u00e1pido de produ\u00e7\u00e3o","attrs":{"Pre\u00e7o":"Negotiable","MOQ":"Negotiable","Prazo de entrega":"3 month","Marca":"Ganova"}}

Realçar:Boost Production Rapid Thermal Processing, Rapid Thermal Processing Annealing System

1.Basic configuration of equipment system 1.1outline The Rapid Thermal Processing is a vertical semi-automatic 8-inch wafer rapid annealing furnace, which uses two layers of infrared halogen lamps as heat sources for heating. The internal quartz cavity is insulated and insulated, and the outer shell... Veja mais

Contate agora

Chat on WhatsApp

Testador de Sensor de Efeito Hall

(3)

- visits

Hall Coefficient Hall Effect Sensor Tester Mobility Resistivity Measurement

Preço: Negotiable

MOQ: 1

Prazo de entrega: 8-10week days

Marca: GaNova

{"cid":"161899","pid":"31469258","pimg_url":"\/\/img1.b2bforus.com\/7f\/6a\/b15b19c5fc1b\/product\/118955886_s-w400xh400.jpg","name":"Hall Coefficient Hall Effect Sensor Tester Mobility Resistivity Measurement","attrs":{"Pre\u00e7o":"Negotiable","MOQ":"1","Prazo de entrega":"8-10week days","Marca":"GaNova"}}

Realçar:Hall Effect Sensor Tester Mobility Resistivity, carrier concentration hall effect instrument, Hall Effect Sensor Tester semiconductor

Hall Coefficient Hall Effect Sensor Tester mobility resistivity measurement Product Overview: Hall effect tester is used to measure the carrier concentration, mobility, resistivity, Hall coefficient and other important parameters, and these parameters of semiconductor materials to understand the ele... Veja mais

Contate agora

Chat on WhatsApp

Bolacha do nitreto de alumínio

(21)

- visits

ALN 10*10mm2 AlN Cristal único 400±50μM Grau S/P/R

Preço: Negotiable

MOQ: 1

Prazo de entrega: Negotiable

Marca: GaNova

{"cid":"161899","pid":"34541266","pimg_url":"\/\/img1.b2bforus.com\/7f\/6a\/b15b19c5fc1b\/product\/133750970_s-w400xh400.jpg","name":"ALN 10*10mm2 AlN Cristal \u00fanico 400\u00b150\u03bcM Grau S\/P\/R","attrs":{"Pre\u00e7o":"Negotiable","MOQ":"1","Prazo de entrega":"Negotiable","Marca":"GaNova"}}

Realçar:ALN aluminum nitride wafer, 2H aluminum nitride wafer, 10*10mm2 aln wafer

AlN substrate is one of the most popular ceramic substrate which has excellent heat resistance, high mechnical strength , abrasion resistance and small dielectric loss . The surface of AlN substrate is quite smooth and low porosity . Aluminium Nitride has higher thermal conductivity , compared to al... Veja mais

Contate agora

Chat on WhatsApp

Microplaqueta do diodo láser

(10)

- visits

94um Laser Diode Chip Slope Efficiency 1.0W/A Wavelength 915nm

Preço: Negotiable

MOQ: Negotiable

Prazo de entrega: Negotiable

Marca: GaNova

{"cid":"161899","pid":"31422296","pimg_url":"\/\/img1.b2bforus.com\/7f\/6a\/b15b19c5fc1b\/product\/118731216_s-w400xh400.jpg","name":"94um Laser Diode Chip Slope Efficiency 1.0W\/A Wavelength 915nm","attrs":{"Pre\u00e7o":"Negotiable","MOQ":"Negotiable","Prazo de entrega":"Negotiable","Marca":"GaNova"}}

Realçar:94um Laser Diode Chip, high power laser diode chip, 1.0W/A Laser Diode Chip

94μm Laser Diode Chip Slope Efficiency 1.0W/A Wavelength 915nm 915nm 10W COS Diode Laser Chip On Submount Design For low power consumption it is essential that the output from the laser diode (LD) is efficiently coupled to the optical waveguide, and there are several approaches reported in the liter... Veja mais

Contate agora

Chat on WhatsApp

Cristal do carboneto de silicone

(12)

- visits

JDZJ01-001-006 SiC Seed Crystal S Grade 6" Φ153±0.5mm

Preço: Negotiable

MOQ: Negotiable

Prazo de entrega: 3-4 week days

{"cid":"161899","pid":"30138112","pimg_url":"\/\/img1.b2bforus.com\/7f\/6a\/b15b19c5fc1b\/product\/133780734_s-w400xh400.jpg","name":"JDZJ01-001-006 SiC Seed Crystal S Grade 6\" \u03a6153\u00b10.5mm","attrs":{"Pre\u00e7o":"Negotiable","MOQ":"Negotiable","Prazo de entrega":"3-4 week days"}}

Realçar:Cristal de sementes de SiC de 6", Cristal de sementes de SiC de grau S, φ153±0, 5 mm Cristal de sementes de SiC

Sic categoria 6" do cristal de semente S categoria φ153±0.5mm de S Sic pode suportar um inclinação da tensão (ou o campo elétrico) sobre oito vezes maior do que do que o si ou o GaAs sem submeter-se à divisão de avalancha. Este campo elétrico da divisão alta permite a fabricação de dispositivos... Veja mais

Contate agora

Chat on WhatsApp

Bolacha Ga2O3

(13)

- visits

JDCD04-001-002 10x10mm2 (- 201) Sn-lubrificou o único Crystal Substrate Product Grade único polonês autônomo de Ga2O3

Preço: Negotiable

MOQ: Negotiable

Prazo de entrega: 3-4 week days

Marca: GaNova

{"cid":"161899","pid":"29834422","pimg_url":"\/\/img1.b2bforus.com\/7f\/6a\/b15b19c5fc1b\/product\/133765845_s-w400xh400.jpg","name":"JDCD04-001-002 10x10mm2 (- 201) Sn-lubrificou o \u00fanico Crystal Substrate Product Grade \u00fanico polon\u00eas aut\u00f4nomo de Ga2O3","attrs":{"Pre\u00e7o":"Negotiable","MOQ":"Negotiable","Prazo de entrega":"3-4 week days","Marca":"GaNova"}}

Realçar:Substrato de cristal único Ga2O3 em estado livre, Categoria de produto Substrato de cristal único Ga2O3, 10x10mm2 Ga2O3 Substrato de cristal único

10x10mm2 (- 201) Sn-lubrificou a única espessura de lustro de cristal autônoma 0.6~0.8mm FWHM<350arcsec da categoria do produto da carcaça Ga2O3 única, resistência de Ra≤0.3 nanômetro<9e18> Desde os anos 90, foi usado geralmente nos diodos luminescentes (diodo emissor de luz). O nitret... Veja mais

Contate agora

Chat on WhatsApp

bolacha de silicone

(26)

- visits

JDCD06-001-004 Wafer de silício de 5 polegadas Dispositivos MEMS Circuitos integrados Substratos dedicados para dispositivos discretos

Preço: Negotiable

MOQ: 1

Prazo de entrega: 3-4 week days

Marca: GaNova

{"cid":"161899","pid":"29649502","pimg_url":"\/\/img1.b2bforus.com\/7f\/6a\/b15b19c5fc1b\/product\/133766984_s-w400xh400.jpg","name":"JDCD06-001-004 Wafer de sil\u00edcio de 5 polegadas Dispositivos MEMS Circuitos integrados Substratos dedicados para dispositivos discretos","attrs":{"Pre\u00e7o":"Negotiable","MOQ":"1","Prazo de entrega":"3-4 week days","Marca":"GaNova"}}

Realçar:Circuitos integrados Wafer de silício, Discreto Dispositivos Wafer de silício, Wafer de silício de 5 polegadas

Dispositivos MEMS de wafer de silício de 5 polegadas, circuitos integrados, substratos dedicados para dispositivos discretos   Visão geral Embora os cristais de silício possam parecer metálicos, eles não são inteiramente metais.Devido aos "elétrons livres" que se movem facilmente entre os átomos... Veja mais

Contate agora

Chat on WhatsApp

Sapphire Wafer

(19)

- visits

JDCD08-001-005 R-Plane Sapphire Substrato Wafer de 4 polegadas

Preço: Negotiable

MOQ: Negotiable

Prazo de entrega: Negotiable

{"cid":"161899","pid":"30140125","pimg_url":"\/\/img1.b2bforus.com\/7f\/6a\/b15b19c5fc1b\/product\/133766039_s-w400xh400.jpg","name":"JDCD08-001-005 R-Plane Sapphire Substrato Wafer de 4 polegadas","attrs":{"Pre\u00e7o":"Negotiable","MOQ":"Negotiable","Prazo de entrega":"Negotiable"}}

Realçar:4inch Sapphire Substrate Wafer

JDCD08-001-005 R-Plane Sapphire Substrato Wafer de 4 polegadas   A alta pureza e resistência da safira é um material excelente e aceito pela indústria para a fabricação de semicondutores.Sua durabilidade e resistência a arranhões tornam o Sapphire ideal para ambientes de vácuo e alta resistência a... Veja mais

Contate agora

Chat on WhatsApp

Sapphire Substrates modelada

(10)

- visits

UKAS Patterned Sapphire Substrates Flat Edge Angle

Preço: Negotiable

MOQ: 1

Prazo de entrega: Negotiable

Marca: GaNova

{"cid":"161899","pid":"31099322","pimg_url":"\/\/img1.b2bforus.com\/7f\/6a\/b15b19c5fc1b\/product\/117252436_s-w400xh400.jpg","name":"UKAS Patterned Sapphire Substrates Flat Edge Angle","attrs":{"Pre\u00e7o":"Negotiable","MOQ":"1","Prazo de entrega":"Negotiable","Marca":"GaNova"}}

Realçar:UKAS Patterned Sapphire Substrates, al2o3 substrate 430um, Patterned Sapphire Substrates OEM

50.80±0.10mm Patterned Sapphire Substrates Flat Edge Angle A-Plane±0.2o 2inch Patterned Sapphire Substrates,LED Chip,Substrate Material The efficacy enhancement of GaN-based LEDs with the patterned-sapphire substrate technique is generally attributed to the improvement in both light extraction effic... Veja mais

Contate agora

Chat on WhatsApp

Suporte da bolacha do

(1)

- visits

Suporte de wafer de de 6 polegadas para limpeza de cestas de flores e alças

Preço: Negotiable

MOQ: 1

Prazo de entrega: Negotiable

{"cid":"161899","pid":"27988240","pimg_url":"\/\/img1.b2bforus.com\/7f\/6a\/b15b19c5fc1b\/product\/101794375_s-w400xh400.jpg","name":"Suporte de wafer de de 6 polegadas para limpeza de cestas de flores e al\u00e7as","attrs":{"Pre\u00e7o":"Negotiable","MOQ":"1","Prazo de entrega":"Negotiable"}}

Realçar:6inch Wafer Holder, wafer cassette carrier, 25 PCS Wafer Holder

6inch Wafer Holder Cleaning Flower Baskets And Handles PFA Cassette / Cassette of wafer can be customized and designed by customers’ request, able to resist strong acid, strong hydrofluoric acid, strong base and heat up to 200~220℃, use to deliver wafers in acid & base process of Fabrication f... Veja mais

Contate agora

Chat on WhatsApp

Máquina de cortar bolacha

(5)

- visits

0.1mm/s To 600mm/s Wafer Dicing Machine X Axis Cutting Range 260mm

Preço: Negotiable

MOQ: 1

Prazo de entrega: 8-10week days

Marca: GaNova

{"cid":"161899","pid":"31470054","pimg_url":"\/\/img1.b2bforus.com\/7f\/6a\/b15b19c5fc1b\/product\/118959343_s-w400xh400.jpg","name":"0.1mm\/s To 600mm\/s Wafer Dicing Machine X Axis Cutting Range 260mm","attrs":{"Pre\u00e7o":"Negotiable","MOQ":"1","Prazo de entrega":"8-10week days","Marca":"GaNova"}}

Realçar:0.1mm/s Wafer Dicing Machine, wafer saw machine 260mm, 600mm/s Wafer Dicing Machine

DAD3350 Wafer Dicing Machine 0.1 ～ 600mm/s X-Axis Cutting Range 260mm Improved throughput The DAD3350 achieves improvement in throughput by increasing the speed of each axis. Ease of use Operability is improved with installation of an LCD touch screen and Graphical User Interface (GUI). Easy operati... Veja mais

Contate agora

Chat on WhatsApp