Bolacha sic Epitaxial

4 polegadas 4H-SiC Substrato nível P SI 500.0±25.0μm MPD≤5/cm2 Resistividade≥1E5Ω·cm Para Microondas de Potência

4 polegadas 4H-SiC Substrato P-Nível SI 500.0±25.0μM MPD≤0.3/Cm2 Resistividade≥1E9Ω·Cm Para Microondas de Potência

Substrato 4H-SiC de 4 polegadas Nível P Tipo N 350,0±25,0μM MPD≤0,5/Cm2 Resistividade 0,015Ω•Cm—0,025Ω•Cm

Dispositivo de potência de 2 polegadas Transistor de alta mobilidade eletrônica Wafer epitaxial

2 polegadas de GaN em silicone HEMT Epi wafer para dispositivo de energia

Barreira de AlGaN 4 polegadas GaN em silicone HEMT Epi wafer nitruro de gálio GaN-on-Si

6 polegadas GaN em silício HEMT Epi Wafer Power Device Nitreto de gálio GaN em Si

GaN laser violeta no silício 2 polegadas GaN no silício HEMT Epi wafer UV LD Epi wafer

2 polegadas de GaN no silício azul LD Epi Wafer GaN laser azul no silício

Blue LED GaN em Wafer de Silício Blue Laser GaN Wafer Epitaxial

2 polegadas de GaN em silicone verde LED Epi wafer Nitreto de gálio em silício

4 polegadas GaN em silicone verde LED Epi wafer Wafer SiC epitaxial

4 polegadas GaN em silicone verde LED Epi wafer Wafer SiC epitaxial

4 polegadas de UGaN em nitruro de gálio de silício não dopado em Wafer Epitaxial de silício

bolacha sic Epitaxial de 150.0mm +0mm/-0.2mm nenhum plano secundário 3mm

47,5 milímetros de ± bolacha sic Epitaxial 150,0 milímetro +0mm/-0.2mm to<11-20>±1° paralelo de 1,5 milímetros

4H bolacha sic Epitaxial ≤0.2 /cm2 0.015Ω•cm-0.025Ω•cm 150,0 milímetro +0mm/-0.2mm

4H bolacha sic Epitaxial 0.015Ω•cm-0.025Ω•² 150,0 milímetro +0mm/-0.2mm do Cm ≤4000/cm

Substrato de SiC nível P de 2 polegadas para dispositivos de energia e dispositivos de microondas

Substrato SiC de 2 polegadas 350μm para eletrônica de potência exigente