GaAs Epi Wafer

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China JDCD10-001-004 Substratos dopados por GaAs (111) de 2 polegadas à venda

JDCD10-001-004 Substratos dopados por GaAs (111) de 2 polegadas

Preço: Negotiable
MOQ: Negotiable
Prazo de entrega: 3-4 week days
Marca: GaNova
Realçar:2 " Substratos dopados com Si, Substratos dopados de 2 polegadas
111) carcaças Si-lubrificadas de 2inch GaAs ( Vista geral O gálio em uma bolacha do GaAs está no general usado na produção de semicondutores, de barômetros, de diodos luminescentes, de termômetros e de circuitos eletrônicos. É um metal prateado e bastante macio que faça fácil ser usado também... Veja mais
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China JDCD10-001-003 2 polegadas GaAs ((100) Substratos dopados por Zn à venda

JDCD10-001-003 2 polegadas GaAs ((100) Substratos dopados por Zn

Preço: Negotiable
MOQ: Negotiable
Prazo de entrega: 3-4 week days
Marca: GaNova
Realçar:Substratos dopados com Zn de 2 polegadas, Substratos dopados com Zn
Substratos dopados com Zn de 2 polegadas GaAs(100)   Visão geralO arseneto de gálio de um Wafer de GaAs tem o atributo de gerar luz laser a partir da eletricidade de maneira direta.Existem dois tipos de GaAs Wafer;policristalino e monocristal.Esses wafers são utilizados na produção de microeletrôn... Veja mais
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China JDCD10-001-005 2 polegadas GaAs ((111) Substratos dopados por Zn à venda

JDCD10-001-005 2 polegadas GaAs ((111) Substratos dopados por Zn

Preço: Negotiable
MOQ: Negotiable
Prazo de entrega: 3-4 week days
Marca: GaNova
Realçar:Substratos dopados com Zn de 2 polegadas, Substratos dopados de Zn
Substratos dopados com Zn GaAs(111) de 2 polegadas   Visão geralOs cristais GaAs podem ser criados através de três métodos diferentes.Um dos métodos mais comuns é o processo de congelamento de gradiente vertical, que envolve o crescimento de cristais e seu corte, seguido de arredondamento de borda... Veja mais
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China JDCD10-001-002 Substratos dopados por GaAs (100) Si de 2 polegadas à venda

JDCD10-001-002 Substratos dopados por GaAs (100) Si de 2 polegadas

Preço: Negotiable
MOQ: Negotiable
Prazo de entrega: 3-4 week days
Marca: GaNova
Realçar:Substratos dopados de 2 polegadas, Substratos dopados de Si
Substratos dopados com Si de GaAs de 2 polegadas (100)   Visão geralO GaAs é frequentemente usado como material de substrato para o crescimento epitaxial de outros semicondutores III-V, incluindo arseneto de índio e gálio, arseneto de alumínio e gálio e outros. O arseneto de gálio de um Wafer de G... Veja mais
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China JDCD10-001-001 GaAs de 2 polegadas (100) Substratos não dopados à venda

JDCD10-001-001 GaAs de 2 polegadas (100) Substratos não dopados

Preço: Negotiable
MOQ: Negotiable
Prazo de entrega: 3-4 week days
Marca: GaNova
Realçar:Undoped GaAs (100) Substrates, 2inch GaAs (100) Substrates, 2inch GaAs (100) Undoped Substrates
GaAs de 2 polegadas (100) Substratos não dopados   Visão geral O arseneto de gálio de um Wafer de GaAs tem o atributo de gerar luz laser a partir da eletricidade de maneira direta.Existem dois tipos de GaAs Wafer;policristalino e monocristal.Esses wafers são utilizados na produção de microeletrôn... Veja mais
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China 18mm GaAs Si Wafer 2inch GaAs Undoped Substrates VGF S-C-N à venda

18mm GaAs Si Wafer 2inch GaAs Undoped Substrates VGF S-C-N

Preço: Negotiable
MOQ: Negotiable
Prazo de entrega: 3-4 week days
Marca: GaNova
Realçar:18mm GaAs Si Wafer, GaAs Undoped Substrates VGF, GaAs Si Wafer 2inch
2inch GaAs (100) Undoped Substrates Overview GaAs is often used as a substrate material for the epitaxial growth of other III-V semiconductors, including indium gallium arsenide, aluminum gallium arsenide and others. Gallium arsenide (chemical formula GaAs) is a semiconductor compound used in some d... Veja mais
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China 2inch GaAs Undoped Substrates GaAs Epi Wafer 0.4E18 To 1E18 à venda

2inch GaAs Undoped Substrates GaAs Epi Wafer 0.4E18 To 1E18

Preço: Negotiable
MOQ: Negotiable
Prazo de entrega: 3-4 week days
Marca: GaNova
Realçar:Undoped GaAs Epi Wafer, gaas substrates 1E18, GaAs Epi Wafer 0.4E18
2inch GaAs (100) Undoped Substrates GaAs-Si Wafer 0.4E18~1E18 Overview The RF devices produced with GaAs substrates are commonly used in wireless communication applications, including wireless networks (WLAN), mobile communication, 4G/5G base stations, satellite communications, and WiFi communicatio... Veja mais
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China LEDs de substrato de arsenieto de gálio para comunicações ópticas à venda

LEDs de substrato de arsenieto de gálio para comunicações ópticas

Preço: Negotiable
MOQ: Negotiable
Prazo de entrega: 3-4 week days
Marca: GaNova
Realçar:Optical gallium arsenide substrate, Optical Communications Epi Wafer, LEDs gallium arsenide substrate
2inch GaAs (100) Undoped Substrates Overview Gallium arsenide is used in the manufacture of light-emitting diode s (LEDs), which are found in optical communications and control systems. Gallium arsenide can replace silicon in the manufacture of linear ICs and digital ICs. Linear (also called analog ... Veja mais
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China VGF 2 polegadas GaAs Epi Wafer Substratos não dopados Lado polido gravado à venda

VGF 2 polegadas GaAs Epi Wafer Substratos não dopados Lado polido gravado

Preço: Negotiable
MOQ: Negotiable
Prazo de entrega: 3-4 week days
Marca: GaNova
Realçar:VGF GaAs Epi Wafer, gaas wafer thickness 350um, GaAs Epi Wafer Side Polished
2inch GaAs (100) Undoped Substrates Overview Gallium arsenide of a GaAs Wafer has the attribute of generating laser light from electricity in a direct manner. There are two types of GaAs Wafer; polycrystalline and single crystal. These wafers are utilized in micro electronics and opto electronics pr... Veja mais
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China 51mm 2 polegadas GaAs Wafer Substratos não dopados 7mm de comprimento IF à venda

51mm 2 polegadas GaAs Wafer Substratos não dopados 7mm de comprimento IF

Preço: Negotiable
MOQ: Negotiable
Prazo de entrega: 3-4 week days
Marca: GaNova
Realçar:2inch gaas wafer, gallium arsenide substrate 7mm, 51mm gaas wafer
50.8±0.2mm 2inch GaAs (100) Undoped Substrates 7±1mm IF Length Overview With the development of mini-LED and micro-LED, red light LEDs produced with GaAs substrates are increasingly used for display screens and in AR/VR. The conversion efficiency of a high-efficiency solar-cell panel based on GaAs i... Veja mais
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China VGF GaAs Undoped Substrates 2inch GaAs Si Dopant à venda

VGF GaAs Undoped Substrates 2inch GaAs Si Dopant

Preço: Negotiable
MOQ: Negotiable
Prazo de entrega: 3-4 week days
Marca: GaNova
Realçar:VGF Undoped Substrates, GaAs substrates S-C-N, GaAs Undoped Substrates
2inch GaAs (100) Undoped Substrates (100)15°±0.5° Off TowardA 2inch GaAs (100) Undoped Substrates Overview GaAs is a semi-conductor material with excellent performance characteristics including direct band gap, high electron mobility, high-frequency low noise, and high conversion efficiency. GaAs-Si... Veja mais
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China 17mm 2inch GaAs Epi Wafer Undoped Substrates 50.8mm à venda

17mm 2inch GaAs Epi Wafer Undoped Substrates 50.8mm

Preço: Negotiable
MOQ: Negotiable
Prazo de entrega: 3-4 week days
Marca: GaNova
Realçar:17mm GaAs Epi Wafer, epitaxial wafer 50.8mm, GaAs Epi Wafer 50.8mm
17±1mm OF Length 2inch GaAs (100) Undoped Substrates 50.8±0.2mm Overview The conversion efficiency of a high-efficiency solar-cell panel based on GaAs is up to 40%. At present, such solar-cell panels are widely used in unmanned aerial vehicle and solar auto applications. GaAs applications cover a la... Veja mais
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China S-C-N conduz substratos não dopados GaAs de 2 polegadas com alta mobilidade de elétrons à venda

S-C-N conduz substratos não dopados GaAs de 2 polegadas com alta mobilidade de elétrons

Preço: Negotiable
MOQ: Negotiable
Prazo de entrega: 3-4 week days
Marca: GaNova
Realçar:S-C-N semiconductor substrate, GaAs-Si Wafer ISO, semiconductor substrate 17mm
S-C-N Conduct 2inch GaAs (100) Undoped Substrates High Electron Mobility Overview With the development of mini-LED and micro-LED, red light LEDs produced with GaAs substrates are increasingly used for display screens and in AR/VR. GaAs is a semi-conductor material with excellent performance characte... Veja mais
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China Bolacha UKAS do si do GaAs da bolacha do composto 2inch GaAs Epi do semicondutor à venda

Bolacha UKAS do si do GaAs da bolacha do composto 2inch GaAs Epi do semicondutor

Preço: Negotiable
MOQ: Negotiable
Prazo de entrega: 3-4 week days
Marca: GaNova
Realçar:GaAs Epi Wafer UKAS, 2inch GaAs Si Wafer, Semiconductor Gallium arsenide Wafer
GaAs-Si Wafer 2inch GaAs (100) Undoped Substrates (100)15°±0.5° Off TowardA Overview Gallium arsenide (chemical formula GaAs) is a semiconductor compound used in some diode s, field-effect transistor s (FETs), and integrated circuit s (ICs). The charge carriers, which are mostly electron s,move at h... Veja mais
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China 2 polegadas GaAs Epi Wafer GaAs Substratos não dopados VGF à venda

2 polegadas GaAs Epi Wafer GaAs Substratos não dopados VGF

Preço: Negotiable
MOQ: Negotiable
Prazo de entrega: 3-4 week days
Marca: GaNova
Realçar:GaAs Epi Wafer Undoped Substrates, GaAs-Si Wafer 2inch, 2inch GaAs Epi Wafer
GaAs-Si Wafer 2inch GaAs (100) Undoped Substrates EJ[0-1-1]±0.5° Overview GaAs applications cover a large variety of transistors for industry spanning optical fiber communication, wireless networks (WLAN), mobile handsets, blue tooth communications, satellite communications, monolithic microwave int... Veja mais
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