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GaN Epitaxial Wafer

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China GaN dopado com magnésio tipo P de 4 polegadas em bolacha de safira SSP resistividade ~ 10Ω cm LED laser PIN bolacha epitaxial à venda

GaN dopado com magnésio tipo P de 4 polegadas em bolacha de safira SSP resistividade ~ 10Ω cm LED laser PIN bolacha epitaxial

Preço: Negotiable
MOQ: Negotiable
Prazo de entrega: 3-4 week days
Marca: GaNova
Realçar:LED Laser PIN Epitaxial Wafer
GaN dopado com magnésio tipo P de 4 polegadas em wafer de safira resistividade SSP ~ 10Ω cm LED, laser, wafer epitaxial PIN   As propriedades elétricas do GaN dopado com Mg do tipo p são investigadas através de medidas de efeito Hall em temperatura variável.Amostras com uma gama de concentrações d... Veja mais
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China O Fe lubrificou GaN Substrates Resistivity > 10 o ⁶ Ω·Dispositivos RF do Cm à venda

O Fe lubrificou GaN Substrates Resistivity > 10 o ⁶ Ω·Dispositivos RF do Cm

Preço: Negotiable
MOQ: Negotiable
Prazo de entrega: 3-4 week days
Marca: GaNova
Realçar:ISO GaN Substrates, gan semiconductor wafer, Fe Doped GaN Substrates
2inch C-face Fe-doped SI-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity > 106 Ω·cm RF devices The achieved breakdown voltage of the Fe-doped GaN epitaxial layer can be as high as 2457 V, which is attributed to the Fe-doped GaN epitaxial layer with higher resistance, which can sustain... Veja mais
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China 625um a 675um 4 safira lisa azul do diodo emissor de luz GaN Epitaxial Wafer On Sapphire SSP da polegada à venda

625um a 675um 4 safira lisa azul do diodo emissor de luz GaN Epitaxial Wafer On Sapphire SSP da polegada

Preço: Negotiable
MOQ: Negotiable
Prazo de entrega: 3-4 week days
Marca: GaNova
Realçar:625um GaN Epitaxial Wafer, SSP gan on sapphire wafers, 675um GaN Epitaxial Wafer
Substrate Thickness 650 ± 25 μm 4 Inch Blue LED GaN Epitaxial Wafer On Sapphire SSP Flat Sapphire 4 inch Blue LED GaN epitaxial wafer on sapphire SSP For example, GaN is the substrate which makes violet (405 nm) laser diodes possible, without use of nonlinear optical frequency-doubling. Its sensitiv... Veja mais
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China 2 polegadas verde LED GaN em Wafer de Silício Dimensão 520±10nm à venda

2 polegadas verde LED GaN em Wafer de Silício Dimensão 520±10nm

Preço: Negotiable
MOQ: Negotiable
Prazo de entrega: 3-4 week days
Marca: GaNova
Realçar:2 polegadas GaN em silicone wafer, LED verde GaN em silicone wafer, 520nm GaN em Wafer de Silício
GaN de LED verde de 2 polegadas em wafer de silício   Visão geral O nitreto de gálio (GaN) está criando uma mudança inovadora em todo o mundo da eletrônica de potência.Por décadas, os MOSFETs (transistores de efeito de campo de semicondutores de óxido metálico) baseados em silício têm sido parte ... Veja mais
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China 10 X 10,5 mm2 C Caracter não dopado N Tipo de substrato de cristal único GaN em pé livre à venda

10 X 10,5 mm2 C Caracter não dopado N Tipo de substrato de cristal único GaN em pé livre

Preço: Negotiable
MOQ: Negotiable
Prazo de entrega: 3-4 week days
Marca: GaNova
Realçar:Substrato monocristalino de GaN não dopado, GaN Single Crystal Substrate autônomo, Substrato de cristal único de tipo N GaN
a C-cara do ² de 10*10.5mm Un-lubrificou o n-tipo resistividade de cristal autônoma da carcaça de GaN única < 0=""> Vista geral Carcaças de cristal de GaN da qualidade superior com baixa densidade de deslocação (na ordem de 105 /cm2) e superfície do uniforme sem defeitos periódicos. Es... Veja mais
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China 10*10,5mm2 C-Face Fe-Doped SI-Type Free-Standing GaN Single Crystal Substrate Macro Defecto Densidade 0cm−2 TTV ≤ 10 μm Resistividade 106 Ω·Cm Dispositivos RF Wafer à venda

10*10,5mm2 C-Face Fe-Doped SI-Type Free-Standing GaN Single Crystal Substrate Macro Defecto Densidade 0cm−2 TTV ≤ 10 μm Resistividade 106 Ω·Cm Dispositivos RF Wafer

Preço: Negotiable
MOQ: Negotiable
Prazo de entrega: 3-4 week days
Marca: GaNova
Realçar:Única carcaça de cristal de GaN, 10*10, 5 mm2 GaN Substrato de cristal único
a C-cara 10*10.5mm2 Fe-lubrificou o Si-tipo resistividade de cristal autônoma da carcaça de GaN única > 106 Ω·bolacha dos dispositivos RF do cm Vista geral Nós vendemos diretamente da fábrica, e podemos consequentemente oferecer os melhores preços do mercado para as carcaças de cristal de ... Veja mais
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China 10 X 10,5 mm2 Substratos GaN em pé livre - 10 μm ≤ BOW ≤ 10 μm à venda

10 X 10,5 mm2 Substratos GaN em pé livre - 10 μm ≤ BOW ≤ 10 μm

Preço: Negotiable
MOQ: Negotiable
Prazo de entrega: 3-4 week days
Marca: GaNova
Realçar:Substratos de GaN em pé livre, 10 X 10, 5 mm2 Substratos de GaN
10*10,5mm² Face C Substrato de cristal único de GaN não dopado tipo n Resistividade < 0,1 Ω·cm Dispositivo de alimentação/laser     Formulários Diodos de laser: LD violeta, LD azul e LD verdeDispositivos eletrônicos de potência, Dispositivos eletrônicos de alta frequência   Mais de 10 anos ... Veja mais
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China TTV ≤ 10μm A-Face não dopado de tipo N GaN monokristalino de sustrato independente Resistividade 0,1 Ω·cm Dispositivo de potência/Laser W à venda

TTV ≤ 10μm A-Face não dopado de tipo N GaN monokristalino de sustrato independente Resistividade 0,1 Ω·cm Dispositivo de potência/Laser W

Preço: Negotiable
MOQ: Negotiable
Prazo de entrega: 3-4 week days
Marca: GaNova
Realçar:Laser W GaN Substrato de cristal único, Dispositivo de alimentação GaN Substrato de cristal único, Substrato de cristal único GaN em pé livre
a Um-cara 5*10mm2 Un-lubrificou o n-tipo resistividade de cristal autônoma da carcaça de GaN única < 0=""> Vista geralO nitreto do gálio (GaN) é um semicondutor largo muito duro, mecanicamente estável do bandgap. Com força mais alta da divisão, a velocidade mais rapidamente de comutação... Veja mais
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China 350 ± 25 μm Espessura Substrato monocristalino GaN independente não dopado de tipo N, com TTV ≤ 10 μm e Resistividade 0,1 Ω·cm à venda

350 ± 25 μm Espessura Substrato monocristalino GaN independente não dopado de tipo N, com TTV ≤ 10 μm e Resistividade 0,1 Ω·cm

Preço: Negotiable
MOQ: Negotiable
Prazo de entrega: 3-4 week days
Marca: GaNova
Realçar:Substrato de cristal único de 10 μm GaN, Única carcaça de cristal de GaN
5*10mm2 SP-cara (20-21)/(20-2-1) Un-lubrificou o n-tipo resistividade de cristal autônoma da carcaça de GaN única < 0=""> Vista geralA carcaça do nitreto do gálio (GaN) é uma carcaça de alta qualidade do único-cristal. É feita com método de HVPE e tecnologia de processamento originais d... Veja mais
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China 5*10mm2 SP-Face 10-11 Não dopado GaN de tipo N independente Substrato de cristal único 0,1 Ω·cm Resistividade para dispositivo de potência à venda

5*10mm2 SP-Face 10-11 Não dopado GaN de tipo N independente Substrato de cristal único 0,1 Ω·cm Resistividade para dispositivo de potência

Preço: Negotiable
MOQ: Negotiable
Prazo de entrega: 3-4 week days
Marca: GaNova
Realçar:0.1 Ω·cm GaN Substrato de cristal único, 5*10mm2 GaN Substrato de cristal único
a SP-cara 5*10.5mm2 (10-11) Un-lubrificou o n-tipo resistividade de cristal autônoma da carcaça de GaN única < 0=""> As redes adversarial Generative (GANs) são as arquiteturas algorítmicas que usam duas redes neurais, picada uma contra o outro (assim o “adversarial ") a fim gerar exemplo... Veja mais
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China 5x10mm2 SP-Face 10-11 Substrato de cristal único GaN de tipo N sem dopagem com TTV ≤ 10μm Resistividade 0,05 Ω·cm à venda

5x10mm2 SP-Face 10-11 Substrato de cristal único GaN de tipo N sem dopagem com TTV ≤ 10μm Resistividade 0,05 Ω·cm

Preço: Negotiable
MOQ: Negotiable
Prazo de entrega: 3-4 week days
Marca: GaNova
Realçar:GaN Single Crystal Substrate autônomo, 5x10mm2 GaN Substrato de cristal único
a SP-cara 5*10mm2 (10-11) Un-lubrificou o n-tipo resistividade de cristal autônoma da carcaça de GaN única < 0=""> Vista geralGaN tem muitas vantagens sérias sobre o silicone, sendo mais pôr eficiente, mais rápido, e melhorar mesmo características da recuperação. Contudo, quando GaN pud... Veja mais
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China Densidade de defeito macro 0cm−2 Substrato de cristal único de GaN independente do tipo SI não dopado para dispositivos RF 5*10mm2 M-Face à venda

Densidade de defeito macro 0cm−2 Substrato de cristal único de GaN independente do tipo SI não dopado para dispositivos RF 5*10mm2 M-Face

Preço: Negotiable
MOQ: Negotiable
Prazo de entrega: 3-4 week days
Marca: GaNova
Realçar:Dispositivos de RF GaN Substrato de cristal único, 5*10mm2 GaN Substrato de cristal único, Substrato de cristal único GaN em pé livre
a M-cara 5*10mm2 Un-lubrificou o Si-tipo resistividade de cristal autônoma da carcaça de GaN única > 106 Ω·bolacha dos dispositivos RF do cm Vista geralAs bolachas finas de Epi são de uso geral para dispositivos do MOS da vanguarda. Epi grosso ou as bolachas epitaxial Multi-mergulhadas são ... Veja mais
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China SP-Face 11-12 Não dopado Tipo N GaN de stand-alone Substrato de cristal único Resistividade 0,05 Ω·cm Densidade de defeito macro 0cm−2 à venda

SP-Face 11-12 Não dopado Tipo N GaN de stand-alone Substrato de cristal único Resistividade 0,05 Ω·cm Densidade de defeito macro 0cm−2

Preço: Negotiable
MOQ: Negotiable
Prazo de entrega: 3-4 week days
Marca: GaNova
Realçar:00, 05 Ω·cm GaN Substrato de cristal único, Substrato monocristalino de GaN não dopado
5*10mm2Face SP (11-12) Substrato monocristal GaN não dopado tipo n independente Resistividade < 0,05 Ω·cm Dispositivo de alimentação/wafer de laser   Visão geralComo os transistores GaN são capazes de ligar mais rápido que os transistores de silício, eles são capazes de reduzir as perdas causa... Veja mais
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China Dispositivo de potência 5x10 mm2 Substrato de cristal único GaN de tipo N não dopado, com resistividade 0,1 Ω·cm e BOW dentro de 10 μm à venda

Dispositivo de potência 5x10 mm2 Substrato de cristal único GaN de tipo N não dopado, com resistividade 0,1 Ω·cm e BOW dentro de 10 μm

Preço: Negotiable
MOQ: Negotiable
Prazo de entrega: 3-4 week days
Marca: GaNova
Realçar:0.1 Ω·cm GaN Substrato de cristal único, Substrato de cristal único de 10 μm GaN, 5x10mm2 GaN Substrato de cristal único
a SP-cara 5*10mm2 (11-12) Un-lubrificou o n-tipo resistividade de cristal autônoma da carcaça de GaN única < 0=""> Vista geralDesde os anos 90, foi usado geralmente nos diodos luminescentes (diodo emissor de luz). O nitreto do gálio desprende uma luz azul usada para a disco-leitura em B... Veja mais
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China 5*10mm2 SP-Face não dopado de tipo N GaN monokristalino 20-21 / 20-2-1 10mm2 Resistividade 0,05 Ω·cm à venda

5*10mm2 SP-Face não dopado de tipo N GaN monokristalino 20-21 / 20-2-1 10mm2 Resistividade 0,05 Ω·cm

Preço: Negotiable
MOQ: Negotiable
Prazo de entrega: 3-4 week days
Marca: GaNova
Realçar:00, 05 Ω·cm GaN Substrato de cristal único, Substrato de cristal único de 10 mm2 de GaN, 20-21 GaN Substrato de cristal único
5*10mm2 SP-cara (20-21)/(20-2-1) Un-lubrificou o n-tipo resistividade de cristal autônoma da carcaça de GaN única < 0=""> Vista geralUma rede adversarial generative (GAN) tem duas porções: O gerador aprende gerar dados plausíveis. Os exemplos gerados transformam-se exemplos de formação ... Veja mais
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China Camada do Verde-diodo emissor de luz GaN On Silicon Wafer 20nmContact da dimensão 520±10nm 2inch à venda

Camada do Verde-diodo emissor de luz GaN On Silicon Wafer 20nmContact da dimensão 520±10nm 2inch

Preço: Negotiable
MOQ: Negotiable
Prazo de entrega: 3-4 week days
Marca: GaNova
Realçar:20nm GaN On Silicon Wafer, 520±10nm GaN On Silicon Wafer
2inch Verde-diodo emissor de luz GaN na bolacha de silicone Vista geral O nitreto do gálio (GaN) está criando um deslocamento inovativo durante todo o mundo da eletrônica de poder. Por décadas, os MOSFETs silicone-baseados (transistor de efeito de campo do semicondutor de óxido de metal) fora... Veja mais
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China 2inch laser 455±10nm do Azul-diodo emissor de luz GaN On Silicon Wafer Longueur D'Onde à venda

2inch laser 455±10nm do Azul-diodo emissor de luz GaN On Silicon Wafer Longueur D'Onde

Preço: Negotiable
MOQ: Negotiable
Prazo de entrega: 3-4 week days
Marca: GaNova
Realçar:455±10nm GaN On Silicon Wafer
2inch Azul-diodo emissor de luz GaN na bolacha de silicone O nitreto do gálio é uma tecnologia de semicondutor usada para o poder superior, aplicações de alta frequência do semicondutor. O nitreto do gálio exibe diversas características que fazem melhor do que o GaAs e o silicone para vário... Veja mais
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China Substrato monocristal de GaN monocristal do tipo SI dopado com face C de 2 polegadas Resistividade > 10⁶ Ω·cm Dispositivos de RF à venda

Substrato monocristal de GaN monocristal do tipo SI dopado com face C de 2 polegadas Resistividade > 10⁶ Ω·cm Dispositivos de RF

Preço: Negotiable
MOQ: Negotiable
Prazo de entrega: 3-4 week days
Marca: Nanowin
Realçar:2inch GaN Single Crystal Substrate, Resistivity GaN Single Crystal Substrate
Substrato monocristal de GaN dopado com Fe do tipo SI de 2 polegadas Resistividade > 106Dispositivos de RF Ω·cm   Visão geral Bolachas epitaxiais de nitreto de gálio (GaN) (epi-wafers).Transistores de alta mobilidade eletrônica GaN (HEMT) wafers em diferentes substratos, como substrato de silíc... Veja mais
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China laser MG-lubrificado 4-Inch PIN Epitaxial Wafer do diodo emissor de luz de GaN/Sapphire Substrates SSP Resistivity~10Ω cm à venda

laser MG-lubrificado 4-Inch PIN Epitaxial Wafer do diodo emissor de luz de GaN/Sapphire Substrates SSP Resistivity~10Ω cm

Preço: Negotiable
MOQ: Negotiable
Prazo de entrega: 3-4 week days
Marca: GaNova
Realçar:LED Laser GaN Epitaxial Wafer
P-tipo GaN MG-lubrificado de 4 polegadas no diodo emissor de luz da bolacha SSP resistivity~10Ω cm da safira, laser, bolacha epitaxial do PIN Por que use GaN Wafers? O nitreto do gálio na safira é o material ideal para a amplificação de rádio da energia. Oferece um número de benefícios sob... Veja mais
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China GaN dopado com UID tipo N de 4 polegadas em wafer de safira SSP Resistividade＞0,5 Ω cm LED, laser, PIN Wafer epitaxial à venda

GaN dopado com UID tipo N de 4 polegadas em wafer de safira SSP Resistividade＞0,5 Ω cm LED, laser, PIN Wafer epitaxial

Preço: Negotiable
MOQ: Negotiable
Prazo de entrega: 3-4 week days
Marca: GaNova
Realçar:PIN GaN On Sapphire Wafer, 4 Inch GaN On Sapphire Wafer
GaN dopado com UID tipo N de 4 polegadas em wafer de safira resistividade SSP＞0,5 Ω cm LED, laser, wafer epitaxial PIN   Por exemplo, GaN é o substrato que torna possíveis os diodos de laser violeta (405 nm), sem o uso de duplicação de frequência óptica não linear.Sua sensibilidade à radiação ioni... Veja mais
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